中科院全固態(tài)深紫外（DUV）光源技術(shù)的突破，讓國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)核心部件的自主化進(jìn)程向前邁進(jìn)一大步。然而，在光刻機(jī)內(nèi)部精密的光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，一個(gè)常被忽視的真相是：每束DUV光子的精準(zhǔn)投射，都離不開(kāi)納米級(jí)瞬態(tài)電壓的嚴(yán)密守護(hù)。薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB20CA瞬態(tài)抑制二極管，正以“光電邊界守衛(wèi)者”的姿態(tài)，成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備突破的……

近日，珠海皓澤科技自研的超效能存算一體AI芯片VVT300成功流片的消息，在半導(dǎo)體圈掀起熱議。這款芯片以突破性的能效比和算力集成度，成為國(guó)產(chǎn)AI芯片崛起的標(biāo)志性事件。然而，在算力狂飆的表象之下，一個(gè)常被忽視的真相是：每一次芯片性能的躍升，都離不開(kāi)防護(hù)元件的靜默守護(hù)。薩科微半導(dǎo)體推出的SLESD5Z36瞬態(tài)抑制二極管，正……

在工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子及通信電源等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，瞬態(tài)電壓事件對(duì)電路可靠性的威脅尤為顯著。SLPESD24VS1U作為一款專為24V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的高壓瞬態(tài)抑制（TVS）二極管，通過(guò)參數(shù)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了對(duì)浪涌脈沖、ESD及感性負(fù)載切換的精準(zhǔn)防護(hù)。其24V反向工作電壓、50pF結(jié)電容及SOD-523封裝特性，使其成為高壓、緊湊型電子……

在電子設(shè)備向低功耗、高頻化方向發(fā)展的背景下，瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極管作為關(guān)鍵防護(hù)元件，需同時(shí)滿足低電容、高靈敏度與小型化需求。SLESD5302F-3TR作為一款專為低壓高速場(chǎng)景設(shè)計(jì)的TVS二極管，通過(guò)參數(shù)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了對(duì)靜電放電（ESD）、電感負(fù)載瞬變及浪涌脈沖的精準(zhǔn)抑制，成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)的優(yōu)選方案。

九峰山實(shí)驗(yàn)室發(fā)布的100nm硅基氮化鎵商用工藝設(shè)計(jì)套件，標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體技術(shù)正式邁入亞百納米時(shí)代。這項(xiàng)突破使氮化鎵功率器件的導(dǎo)通電阻降低40%，開(kāi)關(guān)頻率突破1GHz大關(guān)，為5G基站、車載激光雷達(dá)和消費(fèi)電子快充領(lǐng)域打開(kāi)了效率革命的大門(mén)。然而，實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)揭示了一個(gè)關(guān)鍵矛盾：當(dāng)?shù)壘w管柵極長(zhǎng)度縮短至100nm量級(jí)時(shí)，其……

當(dāng)浙江大學(xué)將鈣鈦礦LED推進(jìn)至90納米量級(jí)，全球光電領(lǐng)域正迎來(lái)一場(chǎng)關(guān)于"極限"的競(jìng)賽。這項(xiàng)突破不僅意味著LED可像紙張般輕薄、如手機(jī)屏幕般彎曲，更預(yù)示著未來(lái)顯示與照明技術(shù)將突破傳統(tǒng)物理形態(tài)的桎梏。然而，在這場(chǎng)納米級(jí)光電革命的背后，一個(gè)容易被忽視的真相是：每毫米厚度的減少，都伴隨著材料對(duì)電壓波動(dòng)的敏感性呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。而薩……

在電源系統(tǒng)向高頻化、高可靠性演進(jìn)的過(guò)程中，瞬態(tài)電壓抑制技術(shù)已成為保障設(shè)備安全運(yùn)行的最后一道防線。薩科微公司推出的P6SMB39CA瞬態(tài)抑制二極管（TVS），以其精準(zhǔn)的電壓控制能力和優(yōu)異的瞬態(tài)響應(yīng)特性，為39V電源系統(tǒng)提供了革命性的保護(hù)方案。這款器件通過(guò)半導(dǎo)體工藝的突破，在納米級(jí)尺度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)過(guò)電壓事件的精準(zhǔn)打擊，正在重……

在電源設(shè)備向高頻化、高可靠性發(fā)展的趨勢(shì)下，瞬態(tài)電壓抑制技術(shù)已成為保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵防線。薩科微公司推出的P6SMB36CA瞬態(tài)抑制二極管（TVS），以其精準(zhǔn)的電壓控制能力和優(yōu)異的瞬態(tài)響應(yīng)特性，為36V電源系統(tǒng)提供了革命性的保護(hù)方案。這款器件通過(guò)半導(dǎo)體工藝的突破，在納米級(jí)尺度上實(shí)現(xiàn)了對(duì)過(guò)電壓事件的精準(zhǔn)打擊，正在重塑電……

在功率電子系統(tǒng)的防護(hù)體系中，瞬態(tài)抑制二極管（TVS）如同精密的電壓閥門(mén)，在納秒級(jí)時(shí)間內(nèi)完成從截止態(tài)到導(dǎo)通態(tài)的切換。薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB33CA，以其突破性的參數(shù)組合，正在重塑過(guò)電壓保護(hù)器件的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。這款專為高可靠性場(chǎng)景設(shè)計(jì)的TVS二極管，通過(guò)四大核心參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化，展現(xiàn)出超越傳統(tǒng)產(chǎn)品的防護(hù)效能。

?在全球數(shù)字化浪潮席卷的今天，半導(dǎo)體作為現(xiàn)代工業(yè)的"糧食"，正成為大國(guó)科技博弈的核心戰(zhàn)場(chǎng)。當(dāng)品牌金融發(fā)布的"全球半導(dǎo)體品牌價(jià)值30強(qiáng)"榜單將中國(guó)半導(dǎo)體品牌推至全球第二的位置時(shí)，這一數(shù)字不僅彰顯著中國(guó)"芯"力量的集體突圍，更預(yù)示著全球半導(dǎo)體版圖正在發(fā)生深刻重構(gòu)。在這場(chǎng)沒(méi)有硝煙的戰(zhàn)爭(zhēng)中，深圳薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB30……

東莞薩科微半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室里，工程師正在對(duì)新款P6SMB27CA瞬態(tài)抑制二極管進(jìn)行可靠性驗(yàn)證。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示：27V反向截止電壓形成基礎(chǔ)防護(hù)屏障，25.7-28.4V的擊穿電壓區(qū)間確保精確響應(yīng)，1mA漏電流控制展現(xiàn)優(yōu)異電性能，而23.1V的最大鉗位電壓較同類產(chǎn)品降低15%。這些參數(shù)背后，是中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)在元器件領(lǐng)域持續(xù)深耕的……

?在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈進(jìn)入白熱化的今天，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)正通過(guò)兩條平行戰(zhàn)線展開(kāi)突圍：一條是元器件廠商以硬核技術(shù)突破國(guó)際封鎖，另一條是頭部企業(yè)通過(guò)資本運(yùn)作構(gòu)建戰(zhàn)略縱深。薩科微半導(dǎo)體推出的P6SMB24CA瞬態(tài)抑制二極管與紫光股份啟動(dòng)香港第二上市計(jì)劃，恰似中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)"技術(shù)攻堅(jiān)+資本突圍"戰(zhàn)略的微觀注腳。