作為特種半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的創(chuàng)新者，薩科微今日宣布推出其新一代超微型靜電放電（ESD）保護(hù)二極管SLESD5304D。這款采用DFN2510封裝的產(chǎn)品專為保護(hù)消費(fèi)電子、工業(yè)通信及高端顯示設(shè)備中的高速數(shù)字接口而設(shè)計(jì)，可完美適配HDMI 2.1、DisplayPort 2.0、USB4 Thunderbolt 4等需要嚴(yán)苛信號(hào)完整性的應(yīng)用場(chǎng)景。此次發(fā)布標(biāo)志著公司在微型化電路保護(hù)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，為5G通信設(shè)備、專業(yè)級(jí)顯示器及數(shù)據(jù)中心可視化終端提供更可靠的防護(hù)方案。

薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD5304D產(chǎn)品圖

突破性封裝設(shè)計(jì)適配精密制造需求

SLESD5304D采用2.5mm×1.0mm超緊湊DFN2510封裝，厚度僅0.5mm，在保持0.65mm焊盤間距的同時(shí)實(shí)現(xiàn)0.3mm極窄邊框設(shè)計(jì)。這種創(chuàng)新的封裝結(jié)構(gòu)特別優(yōu)化了表面貼裝工藝（SMT）的兼容性，其激光標(biāo)記的極性標(biāo)識(shí)與對(duì)稱引腳布局可顯著降低自動(dòng)化生產(chǎn)中的誤裝率。值得關(guān)注的是，該器件在封裝側(cè)壁采用階梯式鍍層工藝，使自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）設(shè)備的識(shí)別精度提升40%，這一特性在要求零缺陷率的高端消費(fèi)電子制造中極具價(jià)值。

與前代產(chǎn)品相比，新型DFN2510封裝將寄生電感降低至0.2nH以下，配合內(nèi)部集成的高速信號(hào)路徑優(yōu)化技術(shù)，使器件在10GHz頻段下的[敏感詞]損耗小于0.1dB。這種電氣性能的突破性提升，使得SLESD5304D可直接部署在HDMI連接器后方僅2mm的位置，在物理空間受限的便攜設(shè)備中實(shí)現(xiàn)"零距離"防護(hù)。

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  薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD5304D規(guī)格書
  
  

薩科微Slkor靜電保護(hù)二極管SLESD5304D相關(guān)參數(shù)

超低電容架構(gòu)守護(hù)信號(hào)完整性

針對(duì)8K視頻傳輸?shù)刃枰獦O低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景，SLESD5304D實(shí)現(xiàn)了0.03pF的行業(yè)領(lǐng)先結(jié)電容（Cj）。這一參數(shù)較傳統(tǒng)TVS二極管降低90%，使器件在差分對(duì)傳輸線中的介入影響趨近于零。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，在HDMI 2.1的48Gbps數(shù)據(jù)傳輸中，搭載該保護(hù)器件的眼圖模板裕量保持率達(dá)98.7%，接近無保護(hù)狀態(tài)下的原始性能。

器件的靜電防護(hù)核心采用改良型階梯摻雜工藝，在PN結(jié)區(qū)域形成梯度電荷耗盡層。這種結(jié)構(gòu)使得反向工作電壓（VRWM=5V）下的漏電流（IR）穩(wěn)定控制在1μA水平，即便在85℃高溫環(huán)境下連續(xù)工作1000小時(shí)，參數(shù)漂移仍低于3%。對(duì)于需要長期穩(wěn)定運(yùn)行的醫(yī)療影像設(shè)備或工業(yè)視覺系統(tǒng)，這種特性可有效避免因漏電流積累導(dǎo)致的信號(hào)基線偏移。

動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性突破傳統(tǒng)極限

SLESD5304D的擊穿電壓（VBR）設(shè)計(jì)采用雙模觸發(fā)機(jī)制：當(dāng)ESD脈沖來臨時(shí)，雪崩擊穿電壓精確控制在6V（最小值），確保在IEC 61000-4-2接觸放電±8kV測(cè)試中，鉗位電壓（VC）穩(wěn)定在8.5V。這種陡峭的伏安特性曲線得益于專利的Trap-Assisted Tunneling結(jié)構(gòu)，使器件在納秒級(jí)時(shí)間內(nèi)完成從高阻態(tài)到低阻態(tài)的轉(zhuǎn)換，實(shí)測(cè)觸發(fā)時(shí)間小于100ps。

在混合波脈沖測(cè)試中，該器件展現(xiàn)出卓越的能量處理能力：在10/700μs組合波沖擊下，可安全吸收50A（8/20μs）峰值電流，動(dòng)態(tài)電阻（Rdyn）低至0.5Ω。這種特性對(duì)于需要同時(shí)防御ESD和雷擊浪涌的戶外顯示設(shè)備尤為重要，實(shí)測(cè)在-55℃至150℃溫度范圍內(nèi)，鉗位電壓波動(dòng)幅度不超過0.3V。

行業(yè)趨勢(shì)與市場(chǎng)展望

隨著8K超高清顯示、AI加速計(jì)算及邊緣云技術(shù)的融合發(fā)展，數(shù)字視覺接口的數(shù)據(jù)吞吐量正以每年40%的速度增長。薩科微憑借在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的積累，正開發(fā)基于GaN的新一代超高速防護(hù)器件，目標(biāo)將結(jié)電容進(jìn)一步壓縮至0.01pF量級(jí)。

SLESD5304D的推出不僅完善了公司在消費(fèi)電子防護(hù)領(lǐng)域的產(chǎn)品矩陣，更標(biāo)志著ESD防護(hù)技術(shù)從"被動(dòng)保護(hù)"向"主動(dòng)信號(hào)調(diào)理"的演進(jìn)。通過與系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)的深度整合，未來該器件有望集成共模濾波、過流保護(hù)等功能，為數(shù)字接口提供全方位的防護(hù)解決方案。

薩科微slkor靜電保護(hù)二極管（ESD）

薩科微slkor榮譽(yù)資質(zhì)和科研成果

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