濺射靶材是一種用于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)中的關(guān)鍵材料，主要用于在基材表面沉積薄膜。其原理是通過高能粒子（如離子）轟擊靶材表面，使靶材原子或分子濺射出來，并沉積到目標基板上形成均勻薄膜。以下是濺射靶材的基本介紹：

1. 組成與分類

• 金屬靶材：如鋁（Al）、銅（Cu）、鈦（Ti）等，用于導電層、金屬鍍膜等。

• 合金靶材：如鈦鋁（Ti-Al）、鎳鉻（Ni-Cr）等，滿足特定導電性或耐腐蝕性需求。

• 陶瓷靶材：如氧化銦錫（ITO，用于透明導電膜）、氮化鈦（TiN，用于硬質(zhì)涂層）等。

• 高純度靶材：半導體行業(yè)常用（如99.999%純度的硅、鉭等）。

• 
  

2. 制造工藝

靶材通常通過粉末冶金、熔融鑄造或熱壓等工藝制備，要求高純度、高密度和均勻的微觀結(jié)構(gòu)。部分復雜形狀靶材需精密加工。

3. 主要應(yīng)用領(lǐng)域

• 半導體：制造集成電路中的金屬互連層、阻擋層（如銅、鉭）。

• 平板顯示：ITO靶材用于液晶顯示器（LCD）、OLED的透明電極。

• 太陽能電池：沉積透明導電膜或背電極（如鋁、銀）。

• 光學鍍膜：制備增透膜、反射膜（如SiO?、TiO?）。

• 工具涂層：氮化鈦（TiN）等用于提高刀具硬度與耐磨性。

• 
  

4. 性能要求

• 高純度：雜質(zhì)可能影響薄膜性能（如半導體漏電）。

• 高密度：減少濺射過程中的顆粒飛濺和孔隙。

• 均勻性：確保薄膜厚度與成分一致。

• 結(jié)合強度：靶材與背板需緊密貼合以提升散熱效率。

• 
  

5. 發(fā)展趨勢

• 新型材料開發(fā)：如高熵合金靶材、低電阻氧化物靶材。

• 大尺寸靶材：適應(yīng)半導體晶圓和顯示面板的大面積鍍膜需求。

• 環(huán)保要求：減少稀有金屬（如銦）依賴，推動回收技術(shù)。

濺射靶材是微電子、光電子等高端制造領(lǐng)域的核心材料，其性能直接決定薄膜器件的質(zhì)量和效率。隨著技術(shù)進步，靶材的多樣性和應(yīng)用場景持續(xù)擴展。

免責聲明：本文采摘自“ittbank”，本文僅代表作者個人觀點，不代表薩科微及行業(yè)觀點，只為轉(zhuǎn)載與分享，支持保護知識產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請注明原出處及作者，如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。